摘要:引言為微處理器系統中的能量存儲/傳輸處理選擇體去耦電容是一件復雜的事情,由于強調產品的物理尺寸,處理器制造商一般只規定滿足器件能量轉換要求所需要的電容量,而不考慮為適合的電容排列留置的可用空間。嵌入式單板計算機中所用的處理器還要求更高的電容充放電性能,從而要求一個低的時間常數。隨著電容制造向更小型化
引言
為微處理器系統中的能量存儲/傳輸處理選擇體去耦電容是一件復雜的事情,由于強調產品的物理尺寸,處理器制造商一般只規定滿足器件能量轉換要求所需要的電容量,而不考慮為適合的電容排列留置的可用空間。嵌入式單板計算機中所用的處理器還要求更高的電容充放電性能,從而要求一個低的時間常數。
隨著電容制造向更小型化封裝應用的繼續推進,一種高電容量、低ESR及低電壓應用的理想方案是3-D多陽極涂層(conformalcoated)片式電容。
高電容量和低ESR技術
有多種技術已可實現單位體積電容量的優化。例如,涂層片式鉭電容技術,該技術去除了常規模壓固體鉭電容的引線框結構,同時這種類似于半導體特殊封裝的技術大大降低平均尺寸。Vishay已經開發了涂層鉭片式技術,用于滿足NASA要求的電容使用。這些產品遠遠超過了常規模壓表面安裝鉭電容(SMD)的容積效率。不過設計師們還需要使ESR最小化,而這一要求刺激了多種候選方案。
Polymer鋁電容
Polymer鋁電容具有非常低的ESR,在10m或更小的范圍,它填充了高電容量多層陶瓷電容(MLCC)和鉭聚合物電容之間的應用空間。不過,盡管它們滿足了濾波應用中所需的ESR要求,但它們的容積效率通常要比鉭技術小很多。在組裝空間十分珍貴的應用中,這種技術必須讓位于其它技術如鉭式技術等。
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