對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。?/P>

  在討論前我們先做幾個假設(shè)：

  ① 開關(guān)電源的工作頻率范圍：20~200KHZ；

  ② RCD中的二極管正向?qū)〞r間很短（一般為幾十納秒）；

  ③ 在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。

  有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計算：

  一﹑首先對MOS管的VD進(jìn)行分段：

  ⅰ，輸入的直流電壓VDC；

  ⅱ，次級反射初級的VOR；

  ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

  ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。

  二﹑對于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計算：

  ⅰ，輸入的直流電壓VDC。

  在計算VDC時，是依較高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。

  VDC＝VAC *√2

  ⅱ，次級反射初級的VOR。

  VOR是依在次級輸出較高電壓，整流二極管壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算），二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）。

  VOR＝（VFVo）*Np/Ns

  ⅲ，主MOS管VD的余量VDS。

  VDS是依MOS管VD的10%為最小值。如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V。

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